Polvos de GaN sin dopar y dopados con Mg o Zn, fueron obtenidos por la ruta de la pirólisis del complejo metalorgánico Ga(NO3)3–CH6N4O, seguido de su nitridación a 1000 °C durante 2 horas, se usaron como reactivos carbohidrazida, nitrato de galio, y nitratos de de magnesio o zinc. La caracterización por XRD mostró constantes de red para la estructura de wurtzita a = 3.19 Å y c = 5.18 Å, con una relación c/a de 1.623. No se detectaron otras especies cristalinas como los óxidos, metales puros u otros nitruros. Polvos sin recocer mostraron una estructura amorfa, la cual mejora al llevar a cabo un recocido térmico en ambiente de amoníaco. Durante los diferentes estudios realizados se observo que entre más alta sea la temperatura de nitridación su cristalina mejora. Usando el software ICCD PDF-4 + 2018 y la ecuación de Debye-Scherrer, se calculó el tamaño del cristal encontrando un promedio de 21.3 nm. Micrografías SEM muestran una morfología superficial de aparencia amorfa, la cual podría estar relacionada con la deficiencia de nitrogéno y la presencia de impurezas no intensionales como oxigeno. La caracterización Raman, mostró los tres modos de vibración característicos para el GaN con frecuencias de 527.25, 556.18 y 564.03 cm-1para A1(TO), E1(TO) y E2(High) de la estructura hexagonal wurtzita de GaN, respectivamente. La espectroscopia de fotoluminiscencia (PL) presentó la emisión correspondiente a la transición banda a banda del GaN hexagonal con una energía máxima ubicada a 3.43 eV (361.51 nm), la cual pertenece a la región azul – violeta. Se piensa en la posible presencia de nanocristales que se forman al utilizar la ruta de la pirólisis del complejo metalorgánico Ga(NO3)3-CH6N4O.
- Abstract - Incorporación de Mg o Zn en polvos de GaN obtenidos por la ruta de pirólisis del complejo metalorgánico Ga-2205ec07
- Poster
- Erick Gastellóu1*, Ana M. Herrera2, Godofredo García3, Crisoforo Morales3, Rafael García4, Gustavo A. Hirata5, José A. Luna3, Mario Robles1, Jorge A. Rodríguez1, Yani D. Ramírez6 1 División de Sistemas Automotrices, Universidad Tecnológica de Puebla (UTP), Puebla, Puebla, C.P. 72300, México; mario.robles@utpuebla.edu.mx (M.R.); jorge.rodriguez@utpuebla.edu.mx (J.R) 2 Ingeniería en Software, Universidad Politécnica de Amozoc (UPAM), Amozoc, Puebla, C.P. 72980, México; ana.herrera@upamozoc.edu.mx (A.H.) 3 Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla (BUAP), Puebla, Puebla, C.P. 72570, México; godofredo.garcia@correo.buap.mx (G.G.); crisoforo.morales@correo.buap.mx (C.M.); jose.luna@correo.buap.mx (J.L.) 4 Departamento de Investigación en Física, Universidad de Sonora, Hermosillo, Sonora, C.P. 83190, México; rgarcia@cifus.uson.mx (R.G.) 5 Centro de Nanociencias y Nanotecnología, Universidad Nacional Autónoma de México (UNAM), Ensenada, Baja California, C.P. 22800, México; hirata@cnyn.unam.mx (G.H.) 6 División de Tecnología Ambiental, Universidad Tecnológica de Puebla (UTP), Puebla, Puebla, C.P. 72300, México; yani.ramirez@utpuebla.edu.mx (Y.R.)
- Documento extenso SNES45 2021-cb9bdc80
El artículo es correcto. Mi comentario es que está lejos del tema de energías, y eso me hace dudar si despertará interés en la XLV Semana de Nacional de Energía Solar
Arbitraje del artículo Ref ID: 816. Artículo en extenso sometido a XLV Congreso ANES: Incorporación de Mg o Zn en polvos de GaN obtenidos por la ruta de pirólisis del complejo metalorgánico Ga(NO3)3–CH6N4O y su nitridación. Erick Gastellóu, Ana M. Herrera, Godofredo García, Crisoforo Morales, Rafael García, Gustavo A. Hirata, José A. Luna, Mario Robles, Jorge A. Rodríguez, Yani D. Ramírez.
Artículo completo, bien escrito. Muestran la preparación de polvos de GaN, para posteriormente usarlos como blancos en métodos de crecimiento de películas de GaN por magnetrón RF sputtering. Recociendo los polvos, logran darle la cristalinidad del GaN deseada, la cual corroboran con caracterizaciones por DRX, fotoluminiscencia y Raman.
El artículo tiene méritos para ser aceptado y publicado.